Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
RFP4N100
Product Overview
Mtengenezaji:
onsemi
Nambari ya Kipande:
RFP4N100-DG
Maelezo:
MOSFET N-CH 1000V 4.3A TO220-3
Maelezo ya Kina:
N-Channel 1000 V 4.3A (Tc) Through Hole TO-220-3
Hesabu:
12848308
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
V8rY
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
RFP4N100 Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs
Mtengenezaji
onsemi
Ufungashaji
-
Mfululizo
-
Hali ya Bidhaa
Obsolete
Aina ya FET
N-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
1000 V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
4.3A (Tc)
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
3.5Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Malipo ya lango (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 20 V
Kipengele cha FET
-
Aina ya Kuweka
Through Hole
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
TO-220-3
Kifurushi / Kesi
TO-220-3
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
RFP4N
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Mchoro wa HTML
Jarida la Takwimu
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
50
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Hali ya RoHS
RoHS non-compliant
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
1 (Unlimited)
Hali ya REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mifano Mbadala
NAMBARI YA SEHEMU
STP5NK100Z
MTENGENEZAJI
STMicroelectronics
KIASI KILICHOPATIKANA
3779
Nambari ya Sehemu
STP5NK100Z-DG
BEI YA KILA KITU
1.69
AINA YA KUBADILISHA
Similar
NAMBARI YA SEHEMU
STP8NK100Z
MTENGENEZAJI
STMicroelectronics
KIASI KILICHOPATIKANA
909
Nambari ya Sehemu
STP8NK100Z-DG
BEI YA KILA KITU
2.24
AINA YA KUBADILISHA
Similar
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
AOI1N60L
MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251A
FDMS86163P
MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN
FDFMA3N109
MOSFET N-CH 30V 2.9A 6MICROFET
