Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
FQP8P10
Product Overview
Mtengenezaji:
onsemi
Nambari ya Kipande:
FQP8P10-DG
Maelezo:
MOSFET P-CH 100V 8A TO220-3
Maelezo ya Kina:
P-Channel 100 V 8A (Tc) 65W (Tc) Through Hole TO-220-3
Hesabu:
12849048
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
8owZ
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
FQP8P10 Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs
Mtengenezaji
onsemi
Ufungashaji
-
Mfululizo
QFET®
Hali ya Bidhaa
Obsolete
Aina ya FET
P-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
100 V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
8A (Tc)
Voltage ya Hifadhi (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
530mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Malipo ya lango (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Uwezo wa kuingiza (Ciss) (Max) @ Vds
470 pF @ 25 V
Kipengele cha FET
-
Usambazaji wa Nguvu (Max)
65W (Tc)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 175°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Through Hole
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
TO-220-3
Kifurushi / Kesi
TO-220-3
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
FQP8
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
50
Majina mengine
FQP8P10-DG
ONSONSFQP8P10
FQP8P10FS
2156-FQP8P10-OS
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Hali ya RoHS
ROHS3 Compliant
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
Not Applicable
Hali ya REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mifano Mbadala
NAMBARI YA SEHEMU
FQP17P10
MTENGENEZAJI
onsemi
KIASI KILICHOPATIKANA
0
Nambari ya Sehemu
FQP17P10-DG
BEI YA KILA KITU
0.64
AINA YA KUBADILISHA
MFR Recommended
NAMBARI YA SEHEMU
IRF9520NPBF
MTENGENEZAJI
Infineon Technologies
KIASI KILICHOPATIKANA
384
Nambari ya Sehemu
IRF9520NPBF-DG
BEI YA KILA KITU
0.73
AINA YA KUBADILISHA
Similar
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
FQPF6N40CT
MOSFET N-CH 400V 6A TO220F
AOT14N50FD
MOSFET N-CH 500V 14A TO220
FQT13N06TF
MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-4
