Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
FQP17P10
Product Overview
Mtengenezaji:
onsemi
Nambari ya Kipande:
FQP17P10-DG
Maelezo:
MOSFET P-CH 100V 16.5A TO220-3
Maelezo ya Kina:
P-Channel 100 V 16.5A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220-3
Hesabu:
12849070
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
kVce
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
FQP17P10 Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs
Mtengenezaji
onsemi
Ufungashaji
Tube
Mfululizo
QFET®
Hali ya Bidhaa
Active
Aina ya FET
P-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
100 V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
16.5A (Tc)
Voltage ya Hifadhi (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 8.25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Malipo ya lango (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Uwezo wa kuingiza (Ciss) (Max) @ Vds
1100 pF @ 25 V
Kipengele cha FET
-
Usambazaji wa Nguvu (Max)
100W (Tc)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 175°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Through Hole
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
TO-220-3
Kifurushi / Kesi
TO-220-3
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
FQP17
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Karatasi za data
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
50
Majina mengine
ONSONSFQP17P10
2156-FQP17P10-OS
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Hali ya RoHS
ROHS3 Compliant
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
Not Applicable
Hali ya REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mifano Mbadala
NAMBARI YA SEHEMU
IRF9530NPBF
MTENGENEZAJI
Infineon Technologies
KIASI KILICHOPATIKANA
39687
Nambari ya Sehemu
IRF9530NPBF-DG
BEI YA KILA KITU
0.32
AINA YA KUBADILISHA
Direct
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
FCMT099N65S3
MOSFET N-CH 650V 30A POWER88
AO3409L
MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23-3
FQP65N06
MOSFET N-CH 60V 65A TO220-3