Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
FQP6N90C
Product Overview
Mtengenezaji:
onsemi
Nambari ya Kipande:
FQP6N90C-DG
Maelezo:
MOSFET N-CH 900V 6A TO220-3
Maelezo ya Kina:
N-Channel 900 V 6A (Tc) 167W (Tc) Through Hole TO-220-3
Hesabu:
12839651
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
FQP6N90C Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs
Mtengenezaji
onsemi
Ufungashaji
-
Mfululizo
QFET®
Hali ya Bidhaa
Obsolete
Aina ya FET
N-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
900 V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
6A (Tc)
Voltage ya Hifadhi (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
2.3Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Malipo ya lango (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Uwezo wa kuingiza (Ciss) (Max) @ Vds
1770 pF @ 25 V
Kipengele cha FET
-
Usambazaji wa Nguvu (Max)
167W (Tc)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Through Hole
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
TO-220-3
Kifurushi / Kesi
TO-220-3
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
FQP6
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
1,000
Majina mengine
2156-FQP6N90C
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Hali ya RoHS
ROHS3 Compliant
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
Not Applicable
Hali ya REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mifano Mbadala
NAMBARI YA SEHEMU
IXFP4N85X
MTENGENEZAJI
IXYS
KIASI KILICHOPATIKANA
0
Nambari ya Sehemu
IXFP4N85X-DG
BEI YA KILA KITU
1.73
AINA YA KUBADILISHA
Similar
NAMBARI YA SEHEMU
STP6NK90Z
MTENGENEZAJI
STMicroelectronics
KIASI KILICHOPATIKANA
990
Nambari ya Sehemu
STP6NK90Z-DG
BEI YA KILA KITU
1.41
AINA YA KUBADILISHA
Similar
NAMBARI YA SEHEMU
FQP9N90C
MTENGENEZAJI
onsemi
KIASI KILICHOPATIKANA
194
Nambari ya Sehemu
FQP9N90C-DG
BEI YA KILA KITU
1.69
AINA YA KUBADILISHA
MFR Recommended
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
