Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
FQA36P15
Product Overview
Mtengenezaji:
onsemi
Nambari ya Kipande:
FQA36P15-DG
Maelezo:
MOSFET P-CH 150V 36A TO3PN
Maelezo ya Kina:
P-Channel 150 V 36A (Tc) 294W (Tc) Through Hole TO-3PN
Hesabu:
12840058
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
FQA36P15 Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs
Mtengenezaji
onsemi
Ufungashaji
-
Mfululizo
QFET®
Hali ya Bidhaa
Active
Aina ya FET
P-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
150 V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
36A (Tc)
Voltage ya Hifadhi (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Malipo ya lango (Qg) (Max) @ Vgs
105 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Uwezo wa kuingiza (Ciss) (Max) @ Vds
3320 pF @ 25 V
Kipengele cha FET
-
Usambazaji wa Nguvu (Max)
294W (Tc)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 175°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Through Hole
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
TO-3PN
Kifurushi / Kesi
TO-3P-3, SC-65-3
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
FQA36
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
30
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Hali ya RoHS
ROHS3 Compliant
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
Not Applicable
Hali ya REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mifano Mbadala
NAMBARI YA SEHEMU
IXTQ36P15P
MTENGENEZAJI
IXYS
KIASI KILICHOPATIKANA
0
Nambari ya Sehemu
IXTQ36P15P-DG
BEI YA KILA KITU
3.51
AINA YA KUBADILISHA
Similar
NAMBARI YA SEHEMU
IXTH24P20
MTENGENEZAJI
IXYS
KIASI KILICHOPATIKANA
402
Nambari ya Sehemu
IXTH24P20-DG
BEI YA KILA KITU
6.26
AINA YA KUBADILISHA
Similar
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
PCFG40N120ANF
MOSFET N-CH
FQPF5N50CFTU
MOSFET N-CH 500V 5A TO220F
NTB125N02RT4
MOSFET N-CH 24V 125A D2PAK
