Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
IXTH24P20
Product Overview
Mtengenezaji:
IXYS
Nambari ya Kipande:
IXTH24P20-DG
Maelezo:
MOSFET P-CH 200V 24A TO247
Maelezo ya Kina:
P-Channel 200 V 24A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Hesabu:
402 Pcs Mpya Halisi Katika Hifadhi
12913683
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
IXTH24P20 Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs
Mtengenezaji
Littelfuse
Ufungashaji
Tube
Mfululizo
-
Hali ya Bidhaa
Active
Aina ya FET
P-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
200 V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
24A (Tc)
Voltage ya Hifadhi (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
150mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Malipo ya lango (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Uwezo wa kuingiza (Ciss) (Max) @ Vds
4200 pF @ 25 V
Kipengele cha FET
-
Usambazaji wa Nguvu (Max)
300W (Tc)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Through Hole
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
TO-247 (IXTH)
Kifurushi / Kesi
TO-247-3
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
IXTH24
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
30
Majina mengine
IXTH24P20-NDR
Q1163049
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Hali ya RoHS
ROHS3 Compliant
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
1 (Unlimited)
Hali ya REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
SI2303CDS-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
SI2374DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 4.5A/5.9A SOT23
SI7489DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
