Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
DMT12H060LFDF-13
Product Overview
Mtengenezaji:
Diodes Incorporated
Nambari ya Kipande:
DMT12H060LFDF-13-DG
Maelezo:
MOSFET BVDSS: 101V~250V U-DFN202
Maelezo ya Kina:
N-Channel 115 V 4.4A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
Hesabu:
12979165
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
CTcS
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
DMT12H060LFDF-13 Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs
Mtengenezaji
Diodes Incorporated
Ufungashaji
Tape & Reel (TR)
Mfululizo
-
Hali ya Bidhaa
Active
Aina ya FET
N-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
115 V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
4.4A (Ta)
Voltage ya Hifadhi (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
Malipo ya lango (Qg) (Max) @ Vgs
7.8 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Uwezo wa kuingiza (Ciss) (Max) @ Vds
475 pF @ 50 V
Kipengele cha FET
-
Usambazaji wa Nguvu (Max)
1.1W (Ta)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
U-DFN2020-6 (Type F)
Kifurushi / Kesi
6-UDFN Exposed Pad
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
DMT12
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Karatasi za data
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
10,000
Majina mengine
31-DMT12H060LFDF-13TR
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Hali ya RoHS
ROHS3 Compliant
Hali ya REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mifano Mbadala
NAMBARI YA SEHEMU
DMT12H060LFDF-7
MTENGENEZAJI
Diodes Incorporated
KIASI KILICHOPATIKANA
783
Nambari ya Sehemu
DMT12H060LFDF-7-DG
BEI YA KILA KITU
0.18
AINA YA KUBADILISHA
Parametric Equivalent
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
DMP2100UQ-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
DMT64M1LCG-7
MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333
DMT64M8LCG-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333