Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
SQJQ960EL-T1_GE3
Product Overview
Mtengenezaji:
Vishay Siliconix
Nambari ya Kipande:
SQJQ960EL-T1_GE3-DG
Maelezo:
MOSFET 2N-CH 60V 63A PPAK8X8
Maelezo ya Kina:
Mosfet Array 60V 63A (Tc) 71W Surface Mount PowerPAK® 8 x 8 Dual
Hesabu:
4236 Pcs Mpya Halisi Katika Hifadhi
12915843
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
SQJQ960EL-T1_GE3 Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Mifumo
Mtengenezaji
Vishay
Ufungashaji
Tape & Reel (TR)
Mfululizo
TrenchFET®
Hali ya Bidhaa
Active
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Usanidi
2 N-Channel (Dual)
Kipengele cha FET
-
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
60V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
63A (Tc)
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Malipo ya lango (Qg) (Max) @ Vgs
24nC @ 10V
Uwezo wa kuingiza (Ciss) (Max) @ Vds
1950pF @ 25V
Nguvu - Max
71W
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 175°C (TJ)
Daraja
Automotive
Uhitimu
AEC-Q101
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi / Kesi
PowerPAK® 8 x 8 Dual
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
PowerPAK® 8 x 8 Dual
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
SQJQ960
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
2,000
Majina mengine
SQJQ960EL-T1_GE3TR
SQJQ960EL-T1_GE3CT
SQJQ960EL-T1_GE3DKR
SQJQ960EL-T1_GE3-DG
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Hali ya RoHS
ROHS3 Compliant
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
SQ9945AEY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 60V 3.7A 8SOIC
SIZ720DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 16A 6POWERPAIR
SI4910DY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8SOIC
