Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
SI7230DN-T1-GE3
Product Overview
Mtengenezaji:
Vishay Siliconix
Nambari ya Kipande:
SI7230DN-T1-GE3-DG
Maelezo:
MOSFET N-CH 30V 9A PPAK 1212-8
Maelezo ya Kina:
N-Channel 30 V 9A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Hesabu:
12914742
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
SI7230DN-T1-GE3 Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs
Mtengenezaji
Vishay
Ufungashaji
Tape & Reel (TR)
Mfululizo
TrenchFET®
Hali ya Bidhaa
Active
Aina ya FET
N-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
30 V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
9A (Ta)
Voltage ya Hifadhi (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Malipo ya lango (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Kipengele cha FET
-
Usambazaji wa Nguvu (Max)
1.5W (Ta)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
PowerPAK® 1212-8
Kifurushi / Kesi
PowerPAK® 1212-8
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
SI7230
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
3,000
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Hali ya RoHS
ROHS3 Compliant
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mifano Mbadala
NAMBARI YA SEHEMU
RQ3E100MNTB1
MTENGENEZAJI
Rohm Semiconductor
KIASI KILICHOPATIKANA
5261
Nambari ya Sehemu
RQ3E100MNTB1-DG
BEI YA KILA KITU
0.40
AINA YA KUBADILISHA
MFR Recommended
NAMBARI YA SEHEMU
RQ3E080BNTB
MTENGENEZAJI
Rohm Semiconductor
KIASI KILICHOPATIKANA
40431
Nambari ya Sehemu
RQ3E080BNTB-DG
BEI YA KILA KITU
0.10
AINA YA KUBADILISHA
MFR Recommended
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
SI4114DY-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
IRFL210PBF
MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223
BUK7520-55A,127
MOSFET N-CH 55V 54A TO220AB
