Nyumbani
Bidhaa
Wazalishaji
Kuhusu DiGi
Wasiliana Nasi
Blogu na Machapisho
OMB/Quote
Kenya
Ingiza
Lugha Teule
Lugha ya kisasa unayichagua
Kenya
K switch:
Kiingereza
Ulaya
Uingereza
DR Congo
Ajentina
Uturuki
Romania
Lithuania
Norwei
Austria
Angola
Slovakia
ltaly
Finili
Belarusi
Bulgaria
Denmarki
Estonia
Polandi
Ukreni
Slovenia
Kicheki
Kigiriki
Kroatia
Uyahudi
Montenegro
Kirusi
Ubelgiji
Swideni
Serbia
Kibaski
Aisilandi
Bosnia
Kihangaria
Moldova
Ujerumani
Uholanzi
Irelandi
Asia / Pasifiki
China
Vietnam
Indonesia
Thailandi
Laos
Kifilipino
Malaysia
Korea
Japani
HongKong
Taiwani
Singapori
Pakistan
Saudi Arabia
Khatari
Kuwaiti
Cambodia
Myanmar
Afrika, India na Mashariki ya Kati
Umoja wa Falme za Kiarabu
Tajikistan
Madagascar
India
Irani
Ufaransa
Afrika Kusini
Misri
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Moroko
Tunisia
Amerika ya Kusini / Oceania
New Zealandi
Ureno
Brazili
Msumbiji
Peru
Kolombia
Chile
Venezuela
Ekuado
Bolivia
Uruguay
Uhispania
Paraguay
Australia
Amerika ya Kaskazini
Marekani
Haiti
Kanada
Kosta Rica
Meksiko
Kuhusu DiGi
Kuhusu Sisi
Kuhusu Sisi
Vyeti Vyetu
DiGi Utangulizi
Kwanini DiGi
Sera
Sera ya Ubora
Masharti ya matumizi
Uzingatiaji wa RoHS
Mchakato wa Kurudi
Rasilimali
Mikakati ya Bidhaa
Wazalishaji
Blogu na Machapisho
Huduma
Dhamana ya Ubora
Njia ya Malipo
Kusafirishwa Duniani
Viwango vya Usafirishaji
Maswali ya Mara kwa Mara
Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
SI1032R-T1-GE3
Product Overview
Mtengenezaji:
Vishay Siliconix
Nambari ya Kipande:
SI1032R-T1-GE3-DG
Maelezo:
MOSFET N-CH 20V 140MA SC75A
Maelezo ya Kina:
N-Channel 20 V 140mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount SC-75A
Hesabu:
16662 Pcs Mpya Halisi Katika Hifadhi
12915300
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
*
Kampuni
*
Jina la Mawasiliano
*
Simu
*
Barua pepe
Anwani ya Uwasilishaji
Ujumbe
(
*
) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
SI1032R-T1-GE3 Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs
Mtengenezaji
Vishay
Ufungashaji
Tape & Reel (TR)
Mfululizo
TrenchFET®
Hali ya Bidhaa
Active
Aina ya FET
N-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
20 V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
140mA (Ta)
Voltage ya Hifadhi (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
5Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Malipo ya lango (Qg) (Max) @ Vgs
0.75 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±6V
Kipengele cha FET
-
Usambazaji wa Nguvu (Max)
250mW (Ta)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
SC-75A
Kifurushi / Kesi
SC-75, SOT-416
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
SI1032
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Mchoro wa HTML
SI1032R-T1-GE3-DG
Karatasi za data
Si1032R,X
Jarida la Takwimu
SI1032R-T1-GE3
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
3,000
Majina mengine
SI1032RT1GE3
SI1032R-T1-GE3CT
SI1032R-T1-GE3TR
SI1032R-T1-GE3DKR
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Hali ya RoHS
ROHS3 Compliant
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
1 (Unlimited)
Hali ya REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
IRFR9310TRR
MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
SI2305CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3
SI4490DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 2.85A 8SO
SI2302ADS-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3