Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
IRF9Z14STRLPBF
Product Overview
Mtengenezaji:
Vishay Siliconix
Nambari ya Kipande:
IRF9Z14STRLPBF-DG
Maelezo:
MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
Maelezo ya Kina:
P-Channel 60 V 6.7A (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Hesabu:
766 Pcs Mpya Halisi Katika Hifadhi
12859820
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
0XyB
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
IRF9Z14STRLPBF Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs
Mtengenezaji
Vishay
Ufungashaji
Tape & Reel (TR)
Mfululizo
-
Hali ya Bidhaa
Active
Aina ya FET
P-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
60 V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
6.7A (Tc)
Voltage ya Hifadhi (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
500mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Malipo ya lango (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Uwezo wa kuingiza (Ciss) (Max) @ Vds
270 pF @ 25 V
Kipengele cha FET
-
Usambazaji wa Nguvu (Max)
3.7W (Ta), 43W (Tc)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 175°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
TO-263 (D2PAK)
Kifurushi / Kesi
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
IRF9Z14
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Mchoro wa HTML
Karatasi za data
Jarida la Takwimu
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
800
Majina mengine
742-IRF9Z14STRLPBFTR
742-IRF9Z14STRLPBFDKR
IRF9Z14STRLPBF-DG
742-IRF9Z14STRLPBFCT
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Hali ya RoHS
ROHS3 Compliant
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mifano Mbadala
NAMBARI YA SEHEMU
IRF5210STRLPBF
MTENGENEZAJI
Infineon Technologies
KIASI KILICHOPATIKANA
7933
Nambari ya Sehemu
IRF5210STRLPBF-DG
BEI YA KILA KITU
1.26
AINA YA KUBADILISHA
MFR Recommended
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
NTLUF4189NZTBG
MOSFET N-CH 30V 1.2A 6UDFN
NTDV20P06LT4G
MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK
NVMFS5C442NT3G
MOSFET N-CH 40V 5DFN
