Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
2N6660-E3
Product Overview
Mtengenezaji:
Vishay Siliconix
Nambari ya Kipande:
2N6660-E3-DG
Maelezo:
MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD
Maelezo ya Kina:
N-Channel 60 V 990mA (Tc) 725mW (Ta), 6.25W (Tc) Through Hole TO-205AD (TO-39)
Hesabu:
12910499
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
2N6660-E3 Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs
Mtengenezaji
Vishay
Ufungashaji
-
Mfululizo
-
Hali ya Bidhaa
Obsolete
Aina ya FET
N-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
60 V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
990mA (Tc)
Voltage ya Hifadhi (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Vgs (Max)
±20V
Uwezo wa kuingiza (Ciss) (Max) @ Vds
50 pF @ 25 V
Kipengele cha FET
-
Usambazaji wa Nguvu (Max)
725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Through Hole
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
TO-205AD (TO-39)
Kifurushi / Kesi
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
2N6660
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
100
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Hali ya RoHS
ROHS3 Compliant
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
1 (Unlimited)
Hali ya REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
IRFP350LCPBF
MOSFET N-CH 400V 16A TO247-3
IRFPE30PBF
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO247-3
IRL520PBF
MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB
