Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
TK17E80W,S1X
Product Overview
Mtengenezaji:
Toshiba Semiconductor and Storage
Nambari ya Kipande:
TK17E80W,S1X-DG
Maelezo:
MOSFET N-CHANNEL 800V 17A TO220
Maelezo ya Kina:
N-Channel 800 V 17A (Ta) 180W (Tc) Through Hole TO-220
Hesabu:
100 Pcs Mpya Halisi Katika Hifadhi
12890042
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
xsB2
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
TK17E80W,S1X Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs
Mtengenezaji
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ufungashaji
Tube
Mfululizo
DTMOSIV
Hali ya Bidhaa
Active
Aina ya FET
N-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
800 V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
17A (Ta)
Voltage ya Hifadhi (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
290mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 850µA
Malipo ya lango (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Uwezo wa kuingiza (Ciss) (Max) @ Vds
2050 pF @ 300 V
Kipengele cha FET
-
Usambazaji wa Nguvu (Max)
180W (Tc)
Joto la Uendeshaji
150°C
Aina ya Kuweka
Through Hole
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
TO-220
Kifurushi / Kesi
TO-220-3
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
TK17E80
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Karatasi za data
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
50
Majina mengine
TK17E80WS1X
TK17E80W,S1X(S
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Hali ya RoHS
ROHS3 Compliant
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
TK25E60X,S1X
MOSFET N-CH 600V 25A TO220
SSM3K310T(TE85L,F)
MOSFET N-CH 20V 5A TSM
TPN4R303NL,L1Q
MOSFET N-CH 30V 40A 8TSON
