Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
RN2910(T5L,F,T)
Product Overview
Mtengenezaji:
Toshiba Semiconductor and Storage
Nambari ya Kipande:
RN2910(T5L,F,T)-DG
Maelezo:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Maelezo ya Kina:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
Hesabu:
12891036
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
9HF1
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
RN2910(T5L,F,T) Maalum ya Kiufundi
Kikundi
Bipolar (BJT), Mifumo ya Transistor Bipolar, Iliyopangwa Kabla
Mtengenezaji
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ufungashaji
-
Mfululizo
-
Hali ya Bidhaa
Obsolete
Aina ya Transistor
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Sasa - Mkusanyaji (Ic) (Max)
100mA
Voltage - Uvunjaji wa Emitter ya Mkusanyaji (Max)
50V
Resistor - Msingi (R1)
4.7kOhms
Resistor - Msingi wa Emitter (R2)
-
DC Gain ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Ujazaji wa Vce (Max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Sasa - Kukatwa kwa Mkusanyaji (Max)
100nA (ICBO)
Mzunguko - Mpito
200MHz
Nguvu - Max
200mW
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi / Kesi
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
US6
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
RN2910
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
3,000
Majina mengine
RN2910(T5LFT)DKR
RN2910(T5LFT)CT
RN2910(T5LFT)TR
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Mifano Mbadala
NAMBARI YA SEHEMU
PUMB3,115
MTENGENEZAJI
Nexperia USA Inc.
KIASI KILICHOPATIKANA
2030
Nambari ya Sehemu
PUMB3,115-DG
BEI YA KILA KITU
0.02
AINA YA KUBADILISHA
Similar
NAMBARI YA SEHEMU
UMB3NTN
MTENGENEZAJI
Rohm Semiconductor
KIASI KILICHOPATIKANA
880
Nambari ya Sehemu
UMB3NTN-DG
BEI YA KILA KITU
0.05
AINA YA KUBADILISHA
Similar
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
RN4987,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
RN4602TE85LF
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
RN2906,LF
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6