Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
STD9HN65M2
Product Overview
Mtengenezaji:
STMicroelectronics
Nambari ya Kipande:
STD9HN65M2-DG
Maelezo:
MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK
Maelezo ya Kina:
N-Channel 650 V 5.5A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount DPAK
Hesabu:
12875338
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
UB36
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
STD9HN65M2 Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs
Mtengenezaji
STMicroelectronics
Ufungashaji
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Mfululizo
MDmesh™ M2
Hali ya Bidhaa
Obsolete
Aina ya FET
N-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
650 V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
5.5A (Tc)
Voltage ya Hifadhi (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
820mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Malipo ya lango (Qg) (Max) @ Vgs
11.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Uwezo wa kuingiza (Ciss) (Max) @ Vds
325 pF @ 100 V
Kipengele cha FET
-
Usambazaji wa Nguvu (Max)
60W (Tc)
Joto la Uendeshaji
150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
DPAK
Kifurushi / Kesi
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
STD9H
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
2,500
Majina mengine
497-16036-2
497-16036-6
-497-16036-6
497-16036-1
-497-16036-1
-497-16036-2
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Hali ya RoHS
ROHS3 Compliant
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
1 (Unlimited)
Hali ya REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mifano Mbadala
NAMBARI YA SEHEMU
IXTY4N65X2
MTENGENEZAJI
IXYS
KIASI KILICHOPATIKANA
70
Nambari ya Sehemu
IXTY4N65X2-DG
BEI YA KILA KITU
1.07
AINA YA KUBADILISHA
Similar
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
STF9N65M2
MOSFET N-CH 650V 5A TO220FP
STD18N55M5
MOSFET N-CH 550V 16A DPAK
STD10PF06-1
MOSFET P-CH 60V 10A IPAK
