Nyumbani
Bidhaa
Wazalishaji
Kuhusu DiGi
Wasiliana Nasi
Blogu na Machapisho
OMB/Quote
Kenya
Ingiza
Lugha Teule
Lugha ya kisasa unayichagua
Kenya
K switch:
Kiingereza
Ulaya
Uingereza
Ufaransa
Uhispania
Uturuki
Moldova
Lithuania
Norwei
Ujerumani
Ureno
Slovakia
ltaly
Finili
Kirusi
Bulgaria
Denmarki
Estonia
Polandi
Ukreni
Slovenia
Kicheki
Kigiriki
Kroatia
Uyahudi
Serbia
Belarusi
Uholanzi
Swideni
Montenegro
Kibaski
Aisilandi
Bosnia
Kihangaria
Romania
Austria
Ubelgiji
Irelandi
Asia / Pasifiki
China
Vietnam
Indonesia
Thailandi
Laos
Kifilipino
Malaysia
Korea
Japani
HongKong
Taiwani
Singapori
Pakistan
Saudi Arabia
Khatari
Kuwaiti
Cambodia
Myanmar
Afrika, India na Mashariki ya Kati
Umoja wa Falme za Kiarabu
Tajikistan
Madagascar
India
Irani
DR Congo
Afrika Kusini
Misri
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Moroko
Tunisia
Amerika ya Kusini / Oceania
New Zealandi
Angola
Brazili
Msumbiji
Peru
Kolombia
Chile
Venezuela
Ekuado
Bolivia
Uruguay
Ajentina
Paraguay
Australia
Amerika ya Kaskazini
Marekani
Haiti
Kanada
Kosta Rica
Meksiko
Kuhusu DiGi
Kuhusu Sisi
Kuhusu Sisi
Vyeti Vyetu
DiGi Utangulizi
Kwanini DiGi
Sera
Sera ya Ubora
Masharti ya matumizi
Uzingatiaji wa RoHS
Mchakato wa Kurudi
Rasilimali
Mikakati ya Bidhaa
Wazalishaji
Blogu na Machapisho
Huduma
Dhamana ya Ubora
Njia ya Malipo
Kusafirishwa Duniani
Viwango vya Usafirishaji
Maswali ya Mara kwa Mara
Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
RV3C002UNT2CL
Product Overview
Mtengenezaji:
Rohm Semiconductor
Nambari ya Kipande:
RV3C002UNT2CL-DG
Maelezo:
MOSFET N-CH 20V 150MA VML0604
Maelezo ya Kina:
N-Channel 20 V 150mA (Ta) 100mW (Ta) Surface Mount VML0604
Hesabu:
174917 Pcs Mpya Halisi Katika Hifadhi
13525695
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
*
Kampuni
*
Jina la Mawasiliano
*
Simu
*
Barua pepe
Anwani ya Uwasilishaji
Ujumbe
C
5
f
1
(
*
) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
RV3C002UNT2CL Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs
Mtengenezaji
ROHM Semiconductor
Ufungashaji
Tape & Reel (TR)
Mfululizo
-
Hali ya Bidhaa
Active
Aina ya FET
N-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
20 V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
150mA (Ta)
Voltage ya Hifadhi (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
2Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 100µA
Vgs (Max)
±10V
Uwezo wa kuingiza (Ciss) (Max) @ Vds
12 pF @ 10 V
Kipengele cha FET
-
Usambazaji wa Nguvu (Max)
100mW (Ta)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
VML0604
Kifurushi / Kesi
3-XFDFN
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
RV3C002
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Karatasi za data
RV3C002UNT2CL
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
8,000
Majina mengine
RV3C002UNT2CL CT
RV3C002UNT2CL TR
RV3C002UNT2CL CT-ND
RV3C002UNT2CL TR-ND
RV3C002UNT2CLCT
RV3C002UNT2CL DKR
RV3C002UNT2CLDKR
RV3C002UNT2CLTR
RV3C002UNT2CL DKR-ND
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Hali ya RoHS
ROHS3 Compliant
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
1 (Unlimited)
Hali ya REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
RUE002N05TL
MOSFET N-CH 50V 200MA EMT3
RSR025P03TL
MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3
RQ3L050GNTB
MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8HSMT
RJ1P12BBDTLL
MOSFET N-CH 100V 120A LPTL