Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
RT1C060UNTR
Product Overview
Mtengenezaji:
Rohm Semiconductor
Nambari ya Kipande:
RT1C060UNTR-DG
Maelezo:
MOSFET N-CH 20V 6A 8TSST
Maelezo ya Kina:
N-Channel 20 V 6A (Ta) 650mW (Ta) Surface Mount 8-TSST
Hesabu:
13525411
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
RT1C060UNTR Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs
Mtengenezaji
ROHM Semiconductor
Ufungashaji
Tape & Reel (TR)
Mfululizo
-
Hali ya Bidhaa
Not For New Designs
Aina ya FET
N-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
20 V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
6A (Ta)
Voltage ya Hifadhi (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
28mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Malipo ya lango (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±10V
Uwezo wa kuingiza (Ciss) (Max) @ Vds
870 pF @ 10 V
Kipengele cha FET
-
Usambazaji wa Nguvu (Max)
650mW (Ta)
Joto la Uendeshaji
150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
8-TSST
Kifurushi / Kesi
8-SMD, Flat Lead
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
RT1C060
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
3,000
Majina mengine
RT1C060UNDKR
RT1C060UNTRCT
RT1C060UNTRTR-ND
RT1C060UNTRTR
RT1C060UNTRCT-ND
RT1C060UNTRDKR
RT1C060UNTRDKR-ND
RT1C060UNCT
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Hali ya RoHS
ROHS3 Compliant
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
1 (Unlimited)
Hali ya REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
RQ5A040ZPTL
MOSFET P-CH 12V 4A TSMT3
RRQ020P03TCR
MOSFET P-CH 30V 2A TSMT6
RRH040P03TB1
MOSFET P-CH 30V 4A 8SOP
