Nyumbani
Bidhaa
Wazalishaji
Kuhusu DiGi
Wasiliana Nasi
Blogu na Machapisho
OMB/Quote
Kenya
Ingiza
Lugha Teule
Lugha ya kisasa unayichagua
Kenya
K switch:
Kiingereza
Ulaya
Uingereza
DR Congo
Ajentina
Uturuki
Romania
Lithuania
Norwei
Austria
Angola
Slovakia
ltaly
Finili
Belarusi
Bulgaria
Denmarki
Estonia
Polandi
Ukreni
Slovenia
Kicheki
Kigiriki
Kroatia
Uyahudi
Montenegro
Kirusi
Ubelgiji
Swideni
Serbia
Kibaski
Aisilandi
Bosnia
Kihangaria
Moldova
Ujerumani
Uholanzi
Irelandi
Asia / Pasifiki
China
Vietnam
Indonesia
Thailandi
Laos
Kifilipino
Malaysia
Korea
Japani
HongKong
Taiwani
Singapori
Pakistan
Saudi Arabia
Khatari
Kuwaiti
Cambodia
Myanmar
Afrika, India na Mashariki ya Kati
Umoja wa Falme za Kiarabu
Tajikistan
Madagascar
India
Irani
Ufaransa
Afrika Kusini
Misri
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Moroko
Tunisia
Amerika ya Kusini / Oceania
New Zealandi
Ureno
Brazili
Msumbiji
Peru
Kolombia
Chile
Venezuela
Ekuado
Bolivia
Uruguay
Uhispania
Paraguay
Australia
Amerika ya Kaskazini
Marekani
Haiti
Kanada
Kosta Rica
Meksiko
Kuhusu DiGi
Kuhusu Sisi
Kuhusu Sisi
Vyeti Vyetu
DiGi Utangulizi
Kwanini DiGi
Sera
Sera ya Ubora
Masharti ya matumizi
Uzingatiaji wa RoHS
Mchakato wa Kurudi
Rasilimali
Mikakati ya Bidhaa
Wazalishaji
Blogu na Machapisho
Huduma
Dhamana ya Ubora
Njia ya Malipo
Kusafirishwa Duniani
Viwango vya Usafirishaji
Maswali ya Mara kwa Mara
Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
IMH9AT110
Product Overview
Mtengenezaji:
Rohm Semiconductor
Nambari ya Kipande:
IMH9AT110-DG
Maelezo:
TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
Maelezo ya Kina:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
Hesabu:
8833 Pcs Mpya Halisi Katika Hifadhi
13524139
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
*
Kampuni
*
Jina la Mawasiliano
*
Simu
*
Barua pepe
Anwani ya Uwasilishaji
Ujumbe
(
*
) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
IMH9AT110 Maalum ya Kiufundi
Kikundi
Bipolar (BJT), Mifumo ya Transistor Bipolar, Iliyopangwa Kabla
Mtengenezaji
ROHM Semiconductor
Ufungashaji
Tape & Reel (TR)
Mfululizo
-
Hali ya Bidhaa
Active
Aina ya Transistor
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Sasa - Mkusanyaji (Ic) (Max)
100mA
Voltage - Uvunjaji wa Emitter ya Mkusanyaji (Max)
50V
Resistor - Msingi (R1)
10kOhms
Resistor - Msingi wa Emitter (R2)
47kOhms
DC Gain ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce
68 @ 5mA, 5V
Ujazaji wa Vce (Max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Sasa - Kukatwa kwa Mkusanyaji (Max)
500nA
Mzunguko - Mpito
250MHz
Nguvu - Max
300mW
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi / Kesi
SC-74, SOT-457
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
SMT6
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
IMH9
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Nyaraka za Kuaminika
SMT6 DTR Reliability Test
Rasilimali za Ubunifu
SMT6 Inner Structure
Karatasi za data
IMH9AT110
SMT6 T110 Taping Spec
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
3,000
Majina mengine
IMH9AT110TR
IMH9AT110DKR
IMH9AT110CT
IMH9AT110-ND
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Hali ya RoHS
ROHS3 Compliant
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
1 (Unlimited)
Hali ya REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
IMH2AT110
TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
IMD9AT108
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
UMA7NTR
TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5
IMD3AT108
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6