Nyumbani
Bidhaa
Wazalishaji
Kuhusu DiGi
Wasiliana Nasi
Blogu na Machapisho
OMB/Quote
Kenya
Ingiza
Lugha Teule
Lugha ya kisasa unayichagua
Kenya
K switch:
Kiingereza
Ulaya
Uingereza
Ufaransa
Uhispania
Uturuki
Moldova
Lithuania
Norwei
Ujerumani
Ureno
Slovakia
ltaly
Finili
Kirusi
Bulgaria
Denmarki
Estonia
Polandi
Ukreni
Slovenia
Kicheki
Kigiriki
Kroatia
Uyahudi
Serbia
Belarusi
Uholanzi
Swideni
Montenegro
Kibaski
Aisilandi
Bosnia
Kihangaria
Romania
Austria
Ubelgiji
Irelandi
Asia / Pasifiki
China
Vietnam
Indonesia
Thailandi
Laos
Kifilipino
Malaysia
Korea
Japani
HongKong
Taiwani
Singapori
Pakistan
Saudi Arabia
Khatari
Kuwaiti
Cambodia
Myanmar
Afrika, India na Mashariki ya Kati
Umoja wa Falme za Kiarabu
Tajikistan
Madagascar
India
Irani
DR Congo
Afrika Kusini
Misri
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Moroko
Tunisia
Amerika ya Kusini / Oceania
New Zealandi
Angola
Brazili
Msumbiji
Peru
Kolombia
Chile
Venezuela
Ekuado
Bolivia
Uruguay
Ajentina
Paraguay
Australia
Amerika ya Kaskazini
Marekani
Haiti
Kanada
Kosta Rica
Meksiko
Kuhusu DiGi
Kuhusu Sisi
Kuhusu Sisi
Vyeti Vyetu
DiGi Utangulizi
Kwanini DiGi
Sera
Sera ya Ubora
Masharti ya matumizi
Uzingatiaji wa RoHS
Mchakato wa Kurudi
Rasilimali
Mikakati ya Bidhaa
Wazalishaji
Blogu na Machapisho
Huduma
Dhamana ya Ubora
Njia ya Malipo
Kusafirishwa Duniani
Viwango vya Usafirishaji
Maswali ya Mara kwa Mara
Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
2SK1835-E
Product Overview
Mtengenezaji:
Renesas Electronics Corporation
Nambari ya Kipande:
2SK1835-E-DG
Maelezo:
MOSFET N-CH 1500V 4A TO3P
Maelezo ya Kina:
N-Channel 1500 V 4A (Ta) 125W (Tc) Through Hole TO-3P
Hesabu:
18610 Pcs Mpya Halisi Katika Hifadhi
12858192
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
*
Kampuni
*
Jina la Mawasiliano
*
Simu
*
Barua pepe
Anwani ya Uwasilishaji
Ujumbe
m
O
m
n
(
*
) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
2SK1835-E Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs
Mtengenezaji
Renesas Electronics Corporation
Ufungashaji
Tube
Mfululizo
-
Hali ya Bidhaa
Active
Aina ya FET
N-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
1500 V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
4A (Ta)
Voltage ya Hifadhi (Max Rds On, Min Rds On)
15V
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
7Ohm @ 2A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Vgs (Max)
±20V
Uwezo wa kuingiza (Ciss) (Max) @ Vds
1700 pF @ 10 V
Kipengele cha FET
-
Usambazaji wa Nguvu (Max)
125W (Tc)
Joto la Uendeshaji
150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Through Hole
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
TO-3P
Kifurushi / Kesi
TO-3P-3, SC-65-3
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
2SK1835
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Karatasi za data
2SK1835
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
30
Majina mengine
-1161-2SK1835-E
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Hali ya RoHS
ROHS3 Compliant
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
1 (Unlimited)
Hali ya REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
RFD4N06LSM9A
MOSFET N-CH 60V 4A TO252AA
NTR4501NT1G
MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23-3
NVMFS5C430NAFT1G
MOSFET N-CH 40V 35A/185A 5DFN
NTD6415ANLT4G
MOSFET N-CH 100V 23A DPAK