Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
NTPF600N80S3Z
Product Overview
Mtengenezaji:
onsemi
Nambari ya Kipande:
NTPF600N80S3Z-DG
Maelezo:
SF3 800V 600MOHM TO-220F
Maelezo ya Kina:
N-Channel 800 V 8A (Tj) 28W (Tc) Through Hole TO-220FP
Hesabu:
12972404
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
NTPF600N80S3Z Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs
Mtengenezaji
onsemi
Ufungashaji
Tube
Mfululizo
SuperFET® III
Hali ya Bidhaa
Not For New Designs
Aina ya FET
N-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
800 V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
8A (Tj)
Voltage ya Hifadhi (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 180µA
Malipo ya lango (Qg) (Max) @ Vgs
15.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Uwezo wa kuingiza (Ciss) (Max) @ Vds
725 pF @ 400 V
Kipengele cha FET
-
Usambazaji wa Nguvu (Max)
28W (Tc)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Through Hole
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
TO-220FP
Kifurushi / Kesi
TO-220-3 Full Pack
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
50
Majina mengine
488-NTPF600N80S3Z
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Hali ya RoHS
ROHS3 Compliant
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
Not Applicable
Hali ya REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mifano Mbadala
NAMBARI YA SEHEMU
SPA08N80C3XKSA1
MTENGENEZAJI
Infineon Technologies
KIASI KILICHOPATIKANA
0
Nambari ya Sehemu
SPA08N80C3XKSA1-DG
BEI YA KILA KITU
1.13
AINA YA KUBADILISHA
Similar
NAMBARI YA SEHEMU
R8009KNXC7G
MTENGENEZAJI
Rohm Semiconductor
KIASI KILICHOPATIKANA
1871
Nambari ya Sehemu
R8009KNXC7G-DG
BEI YA KILA KITU
1.74
AINA YA KUBADILISHA
Similar
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
SC9611MX
MOSFET N-CH SMD
PJQ5494_R2_00001
150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
IRF820PBF-BE3
MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB
