Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
FQPF6N40C
Product Overview
Mtengenezaji:
onsemi
Nambari ya Kipande:
FQPF6N40C-DG
Maelezo:
MOSFET N-CH 400V 6A TO220F
Maelezo ya Kina:
N-Channel 400 V 6A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Hesabu:
12847015
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
PkvE
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
FQPF6N40C Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs
Mtengenezaji
onsemi
Ufungashaji
-
Mfululizo
QFET®
Hali ya Bidhaa
Obsolete
Aina ya FET
N-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
400 V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
6A (Tc)
Voltage ya Hifadhi (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
1Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Malipo ya lango (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Uwezo wa kuingiza (Ciss) (Max) @ Vds
625 pF @ 25 V
Kipengele cha FET
-
Usambazaji wa Nguvu (Max)
38W (Tc)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Through Hole
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
TO-220F-3
Kifurushi / Kesi
TO-220-3 Full Pack
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
FQPF6
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Mchoro wa HTML
Jarida la Takwimu
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
1,000
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
1 (Unlimited)
Hali ya REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mifano Mbadala
NAMBARI YA SEHEMU
TK7A50D(STA4,Q,M)
MTENGENEZAJI
Toshiba Semiconductor and Storage
KIASI KILICHOPATIKANA
35
Nambari ya Sehemu
TK7A50D(STA4,Q,M)-DG
BEI YA KILA KITU
0.50
AINA YA KUBADILISHA
Similar
NAMBARI YA SEHEMU
STP11NK40ZFP
MTENGENEZAJI
STMicroelectronics
KIASI KILICHOPATIKANA
325
Nambari ya Sehemu
STP11NK40ZFP-DG
BEI YA KILA KITU
0.95
AINA YA KUBADILISHA
Similar
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
FDMA910PZ
MOSFET P-CH 20V 9.4A 6MICROFET
CPH3462-TL-W
MOSFET N-CH 100V 1A 3CPH
FDC3612
MOSFET N-CH 100V 2.6A SUPERSOT6