Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
FQPF30N06
Product Overview
Mtengenezaji:
onsemi
Nambari ya Kipande:
FQPF30N06-DG
Maelezo:
MOSFET N-CH 60V 21A TO220F
Maelezo ya Kina:
N-Channel 60 V 21A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Hesabu:
12847853
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
gxOs
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
FQPF30N06 Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs
Mtengenezaji
onsemi
Ufungashaji
-
Mfululizo
QFET®
Hali ya Bidhaa
Obsolete
Aina ya FET
N-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
60 V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
21A (Tc)
Voltage ya Hifadhi (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
40mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Malipo ya lango (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Uwezo wa kuingiza (Ciss) (Max) @ Vds
945 pF @ 25 V
Kipengele cha FET
-
Usambazaji wa Nguvu (Max)
39W (Tc)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 175°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Through Hole
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
TO-220F-3
Kifurushi / Kesi
TO-220-3 Full Pack
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
FQPF3
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Mchoro wa HTML
Jarida la Takwimu
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
1,000
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
1 (Unlimited)
Hali ya REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mifano Mbadala
NAMBARI YA SEHEMU
FQP30N06
MTENGENEZAJI
onsemi
KIASI KILICHOPATIKANA
25711
Nambari ya Sehemu
FQP30N06-DG
BEI YA KILA KITU
0.53
AINA YA KUBADILISHA
Similar
NAMBARI YA SEHEMU
STF40NF06
MTENGENEZAJI
STMicroelectronics
KIASI KILICHOPATIKANA
3508
Nambari ya Sehemu
STF40NF06-DG
BEI YA KILA KITU
0.56
AINA YA KUBADILISHA
Similar
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
NTD20N03L27G
MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
FQNL2N50BTA
MOSFET N-CH 500V 350MA TO92-3
NTB13N10T4G
MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK
