Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
FQP22N30
Product Overview
Mtengenezaji:
onsemi
Nambari ya Kipande:
FQP22N30-DG
Maelezo:
MOSFET N-CH 300V 21A TO220-3
Maelezo ya Kina:
N-Channel 300 V 21A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-220-3
Hesabu:
12839565
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
FQP22N30 Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs
Mtengenezaji
onsemi
Ufungashaji
-
Mfululizo
QFET®
Hali ya Bidhaa
Obsolete
Aina ya FET
N-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
300 V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
21A (Tc)
Voltage ya Hifadhi (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
160mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Malipo ya lango (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Uwezo wa kuingiza (Ciss) (Max) @ Vds
2200 pF @ 25 V
Kipengele cha FET
-
Usambazaji wa Nguvu (Max)
170W (Tc)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Through Hole
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
TO-220-3
Kifurushi / Kesi
TO-220-3
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
FQP22
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Karatasi za data
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
50
Majina mengine
2156-FQP22N30-OS
FAIFSCFQP22N30
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Hali ya RoHS
ROHS3 Compliant
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
Not Applicable
Hali ya REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mifano Mbadala
NAMBARI YA SEHEMU
NTP165N65S3H
MTENGENEZAJI
onsemi
KIASI KILICHOPATIKANA
523
Nambari ya Sehemu
NTP165N65S3H-DG
BEI YA KILA KITU
1.81
AINA YA KUBADILISHA
MFR Recommended
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
FDMS0310AS
MOSFET N-CH 30V 19A/22A 8PQFN
FDD5N50UTF_WS
MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
BSP324 E6327
MOSFET N-CH 400V 170MA SOT223-4
