Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
FQI12N50TU
Product Overview
Mtengenezaji:
onsemi
Nambari ya Kipande:
FQI12N50TU-DG
Maelezo:
MOSFET N-CH 500V 12.1A I2PAK
Maelezo ya Kina:
N-Channel 500 V 12.1A (Tc) 3.13W (Ta), 179W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Hesabu:
12849571
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
FQI12N50TU Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs
Mtengenezaji
onsemi
Ufungashaji
-
Mfululizo
QFET®
Hali ya Bidhaa
Obsolete
Aina ya FET
N-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
500 V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
12.1A (Tc)
Voltage ya Hifadhi (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
490mOhm @ 6.05A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Malipo ya lango (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Uwezo wa kuingiza (Ciss) (Max) @ Vds
2020 pF @ 25 V
Kipengele cha FET
-
Usambazaji wa Nguvu (Max)
3.13W (Ta), 179W (Tc)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Through Hole
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
TO-262 (I2PAK)
Kifurushi / Kesi
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
FQI1
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Mchoro wa HTML
Jarida la Takwimu
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
1,000
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
1 (Unlimited)
Hali ya REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mifano Mbadala
NAMBARI YA SEHEMU
IRF740ALPBF
MTENGENEZAJI
Vishay Siliconix
KIASI KILICHOPATIKANA
865
Nambari ya Sehemu
IRF740ALPBF-DG
BEI YA KILA KITU
1.19
AINA YA KUBADILISHA
Similar
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
FQP16N25C
MOSFET N-CH 250V 15.6A TO220-3
AO4290A
MOSFET N-CH 100V 15.5A 8SOIC
AO4456
MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC
