Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
FQD7P06TF
Product Overview
Mtengenezaji:
onsemi
Nambari ya Kipande:
FQD7P06TF-DG
Maelezo:
MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK
Maelezo ya Kina:
P-Channel 60 V 5.4A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Hesabu:
12839716
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
FQD7P06TF Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs
Mtengenezaji
onsemi
Ufungashaji
-
Mfululizo
QFET®
Hali ya Bidhaa
Obsolete
Aina ya FET
P-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
60 V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
5.4A (Tc)
Voltage ya Hifadhi (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
451mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Malipo ya lango (Qg) (Max) @ Vgs
8.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Uwezo wa kuingiza (Ciss) (Max) @ Vds
295 pF @ 25 V
Kipengele cha FET
-
Usambazaji wa Nguvu (Max)
2.5W (Ta), 28W (Tc)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
TO-252AA
Kifurushi / Kesi
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
FQD7
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
2,000
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
1 (Unlimited)
Hali ya REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
HUFA76419D3ST
MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA
FDD6N50TM
MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
NTB5605PG
MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK
