Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
FQB2N50TM
Product Overview
Mtengenezaji:
onsemi
Nambari ya Kipande:
FQB2N50TM-DG
Maelezo:
MOSFET N-CH 500V 2.1A D2PAK
Maelezo ya Kina:
N-Channel 500 V 2.1A (Tc) 3.13W (Ta), 55W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Hesabu:
12849791
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
FQB2N50TM Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs
Mtengenezaji
onsemi
Ufungashaji
-
Mfululizo
QFET®
Hali ya Bidhaa
Obsolete
Aina ya FET
N-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
500 V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
2.1A (Tc)
Voltage ya Hifadhi (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
5.3Ohm @ 1.05A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Malipo ya lango (Qg) (Max) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Uwezo wa kuingiza (Ciss) (Max) @ Vds
230 pF @ 25 V
Kipengele cha FET
-
Usambazaji wa Nguvu (Max)
3.13W (Ta), 55W (Tc)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
TO-263 (D2PAK)
Kifurushi / Kesi
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
FQB2
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Mchoro wa HTML
Jarida la Takwimu
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
800
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
1 (Unlimited)
Hali ya REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mifano Mbadala
NAMBARI YA SEHEMU
IRFI820GPBF
MTENGENEZAJI
Vishay Siliconix
KIASI KILICHOPATIKANA
0
Nambari ya Sehemu
IRFI820GPBF-DG
BEI YA KILA KITU
1.06
AINA YA KUBADILISHA
Similar
NAMBARI YA SEHEMU
IRF540NSTRLPBF
MTENGENEZAJI
Infineon Technologies
KIASI KILICHOPATIKANA
7309
Nambari ya Sehemu
IRF540NSTRLPBF-DG
BEI YA KILA KITU
0.52
AINA YA KUBADILISHA
Similar
NAMBARI YA SEHEMU
IXTA08N50D2
MTENGENEZAJI
IXYS
KIASI KILICHOPATIKANA
260
Nambari ya Sehemu
IXTA08N50D2-DG
BEI YA KILA KITU
1.25
AINA YA KUBADILISHA
Similar
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
