Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
FQA34N20
Product Overview
Mtengenezaji:
onsemi
Nambari ya Kipande:
FQA34N20-DG
Maelezo:
MOSFET N-CH 200V 34A TO3P
Maelezo ya Kina:
N-Channel 200 V 34A (Tc) 210W (Tc) Through Hole TO-3P
Hesabu:
12850429
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
FQA34N20 Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs
Mtengenezaji
onsemi
Ufungashaji
-
Mfululizo
QFET®
Hali ya Bidhaa
Obsolete
Aina ya FET
N-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
200 V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
34A (Tc)
Voltage ya Hifadhi (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
75mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Malipo ya lango (Qg) (Max) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Uwezo wa kuingiza (Ciss) (Max) @ Vds
3100 pF @ 25 V
Kipengele cha FET
-
Usambazaji wa Nguvu (Max)
210W (Tc)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Through Hole
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
TO-3P
Kifurushi / Kesi
TO-3P-3, SC-65-3
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
FQA3
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Mchoro wa HTML
Jarida la Takwimu
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
450
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
1 (Unlimited)
Hali ya REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
BSC011N03LSTATMA1
MOSFET N-CH 30V 39A/100A TDSON
FQAF13N80
MOSFET N-CH 800V 8A TO3PF
FDMC510P-F106
MOSFET P-CH 20V 12A/18A 8WDFN
