Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
FDS2170N3
Product Overview
Mtengenezaji:
onsemi
Nambari ya Kipande:
FDS2170N3-DG
Maelezo:
MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Maelezo ya Kina:
N-Channel 200 V 3A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-SO FLMP
Hesabu:
12850569
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
9krj
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
FDS2170N3 Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs
Mtengenezaji
onsemi
Ufungashaji
-
Mfululizo
PowerTrench®
Hali ya Bidhaa
Obsolete
Aina ya FET
N-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
200 V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
3A (Ta)
Voltage ya Hifadhi (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
128mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Malipo ya lango (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Uwezo wa kuingiza (Ciss) (Max) @ Vds
1292 pF @ 100 V
Kipengele cha FET
-
Usambazaji wa Nguvu (Max)
3W (Ta)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
8-SO FLMP
Kifurushi / Kesi
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
FDS21
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Mchoro wa HTML
Jarida la Takwimu
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
2,500
Majina mengine
FDS2170N3_NLCT
FDS2170N3_NLCT-DG
FDS2170N3_NLTR
FDS2170N3DKR
FDS2170N3_NL
FDS2170N3CT
FDS2170N3CT-NDR
FDS2170N3TR
FDS2170N3TR-NDR
FDS2170N3_NLTR-DG
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
1 (Unlimited)
Hali ya REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mifano Mbadala
NAMBARI YA SEHEMU
FDMS2672
MTENGENEZAJI
onsemi
KIASI KILICHOPATIKANA
1825
Nambari ya Sehemu
FDMS2672-DG
BEI YA KILA KITU
1.14
AINA YA KUBADILISHA
Similar
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
AUIRF3805S-7P
MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK
AON6324
MOSFET N-CH 30V 85A 8DFN
FQP6N15
MOSFET N-CH 150V 6.4A TO220-3
