Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
FDP5N60NZ
Product Overview
Mtengenezaji:
onsemi
Nambari ya Kipande:
FDP5N60NZ-DG
Maelezo:
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220-3
Maelezo ya Kina:
N-Channel 600 V 4.5A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220-3
Hesabu:
12848042
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
1zqC
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
FDP5N60NZ Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs
Mtengenezaji
onsemi
Ufungashaji
-
Mfululizo
UniFET-II™
Hali ya Bidhaa
Obsolete
Aina ya FET
N-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
600 V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
4.5A (Tc)
Voltage ya Hifadhi (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
2Ohm @ 2.25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Malipo ya lango (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Uwezo wa kuingiza (Ciss) (Max) @ Vds
600 pF @ 25 V
Kipengele cha FET
-
Usambazaji wa Nguvu (Max)
100W (Tc)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Through Hole
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
TO-220-3
Kifurushi / Kesi
TO-220-3
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
FDP5
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Karatasi za data
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
800
Majina mengine
2832-FDP5N60NZ-488
2832-FDP5N60NZ
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Hali ya RoHS
ROHS3 Compliant
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
Not Applicable
Hali ya REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mifano Mbadala
NAMBARI YA SEHEMU
AOT4N60
MTENGENEZAJI
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
KIASI KILICHOPATIKANA
423
Nambari ya Sehemu
AOT4N60-DG
BEI YA KILA KITU
0.35
AINA YA KUBADILISHA
Similar
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
IPAN60R650CEXKSA1
MOSFET N-CH 600V 9.9A TO220
FQB6N60CTM
MOSFET N-CH 600V 5.5A D2PAK
FDS3692
MOSFET N-CH 100V 4.5A 8SOIC
