Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
FDN5632N-F085
Product Overview
Mtengenezaji:
onsemi
Nambari ya Kipande:
FDN5632N-F085-DG
Maelezo:
MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Maelezo ya Kina:
N-Channel 60 V 1.7A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Hesabu:
55416 Pcs Mpya Halisi Katika Hifadhi
12846305
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
FDN5632N-F085 Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs
Mtengenezaji
onsemi
Ufungashaji
Tape & Reel (TR)
Mfululizo
PowerTrench®
Hali ya Bidhaa
Active
Aina ya FET
N-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
60 V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
1.7A (Ta)
Voltage ya Hifadhi (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
82mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Malipo ya lango (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Uwezo wa kuingiza (Ciss) (Max) @ Vds
475 pF @ 15 V
Kipengele cha FET
-
Usambazaji wa Nguvu (Max)
1.1W (Ta)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Daraja
Automotive
Uhitimu
AEC-Q101
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
SOT-23-3
Kifurushi / Kesi
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
FDN5632
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
3,000
Majina mengine
FDN5632N_F085TR
FDN5632N_F085DKR
FDN5632N_F085CT-DG
FDN5632N_F085TR-DG
FDN5632N_F085
FDN5632N-F085CT
FDN5632N-F085TR
FDN5632NF085
FDN5632N-F085DKR
FDN5632N_F085DKR-DG
FDN5632N_F085CT
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Hali ya RoHS
ROHS3 Compliant
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
1 (Unlimited)
Hali ya REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
BSZ023N04LSATMA1
MOSFET N-CH 40V 22A/40A TSDSON
AOB11S65L
MOSFET N-CH 650V 11A TO263
AO7408L
MOSFET N-CH 20V 2A SC70-6
