Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
FDFS2P103A
Product Overview
Mtengenezaji:
onsemi
Nambari ya Kipande:
FDFS2P103A-DG
Maelezo:
MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC
Maelezo ya Kina:
P-Channel 30 V 5.3A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Hesabu:
12850369
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
wSh8
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
FDFS2P103A Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs
Mtengenezaji
onsemi
Ufungashaji
-
Mfululizo
PowerTrench®
Hali ya Bidhaa
Obsolete
Aina ya FET
P-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
30 V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
5.3A (Ta)
Voltage ya Hifadhi (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
59mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Malipo ya lango (Qg) (Max) @ Vgs
8 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±25V
Uwezo wa kuingiza (Ciss) (Max) @ Vds
535 pF @ 15 V
Kipengele cha FET
Schottky Diode (Isolated)
Usambazaji wa Nguvu (Max)
900mW (Ta)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
8-SOIC
Kifurushi / Kesi
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
FDFS2
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Mchoro wa HTML
Jarida la Takwimu
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
2,500
Majina mengine
FDFS2P103A_NLTR-DG
FDFS2P103ACT-NDR
FDFS2P103A_NLCT
FDFS2P103A_NLCT-DG
FDFS2P103A_NL
FDFS2P103A_NLTR
FDFS2P103ACT
FDFS2P103ATR
FDFS2P103ATR-NDR
FDFS2P103ADKR
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
1 (Unlimited)
Hali ya REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
AOTF2610L
MOSFET N-CH 60V 9A/35A TO220-3F
FQPF15P12
MOSFET P-CH 120V 15A TO220F
FDS6673BZ
MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC
