Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
FDB6690S
Product Overview
Mtengenezaji:
onsemi
Nambari ya Kipande:
FDB6690S-DG
Maelezo:
MOSFET N-CH 30V 42A TO263AB
Maelezo ya Kina:
N-Channel 30 V 42A (Ta) 48W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Hesabu:
12848376
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
FDB6690S Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs
Mtengenezaji
onsemi
Ufungashaji
-
Mfululizo
PowerTrench®, SyncFET™
Hali ya Bidhaa
Obsolete
Aina ya FET
N-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
30 V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
42A (Ta)
Voltage ya Hifadhi (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
15.5mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Malipo ya lango (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Uwezo wa kuingiza (Ciss) (Max) @ Vds
1238 pF @ 15 V
Kipengele cha FET
-
Usambazaji wa Nguvu (Max)
48W (Tc)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
TO-263 (D2PAK)
Kifurushi / Kesi
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
FDB669
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Mchoro wa HTML
Jarida la Takwimu
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
800
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
1 (Unlimited)
Hali ya REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mifano Mbadala
NAMBARI YA SEHEMU
PSMN4R3-30BL,118
MTENGENEZAJI
Nexperia USA Inc.
KIASI KILICHOPATIKANA
9945
Nambari ya Sehemu
PSMN4R3-30BL,118-DG
BEI YA KILA KITU
0.58
AINA YA KUBADILISHA
Similar
NAMBARI YA SEHEMU
PSMN017-30BL,118
MTENGENEZAJI
Nexperia USA Inc.
KIASI KILICHOPATIKANA
1868
Nambari ya Sehemu
PSMN017-30BL,118-DG
BEI YA KILA KITU
0.37
AINA YA KUBADILISHA
Similar
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
