Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
FDB12N50TM
Product Overview
Mtengenezaji:
onsemi
Nambari ya Kipande:
FDB12N50TM-DG
Maelezo:
MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
Maelezo ya Kina:
N-Channel 500 V 11.5A (Tc) 165W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Hesabu:
1 Pcs Mpya Halisi Katika Hifadhi
12921893
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
kHro
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
FDB12N50TM Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs
Mtengenezaji
onsemi
Ufungashaji
Tape & Reel (TR)
Mfululizo
UniFET™
Hali ya Bidhaa
Active
Aina ya FET
N-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
500 V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
11.5A (Tc)
Voltage ya Hifadhi (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
650mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Malipo ya lango (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Uwezo wa kuingiza (Ciss) (Max) @ Vds
1315 pF @ 25 V
Kipengele cha FET
-
Usambazaji wa Nguvu (Max)
165W (Tc)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
TO-263 (D2PAK)
Kifurushi / Kesi
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
FDB12N50
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
800
Majina mengine
FDB12N50TMTR
FDB12N50TMCT
FDB12N50TMDKR
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Hali ya RoHS
ROHS3 Compliant
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
1 (Unlimited)
Hali ya REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mifano Mbadala
NAMBARI YA SEHEMU
IXFA12N50P
MTENGENEZAJI
IXYS
KIASI KILICHOPATIKANA
298
Nambari ya Sehemu
IXFA12N50P-DG
BEI YA KILA KITU
1.82
AINA YA KUBADILISHA
Similar
NAMBARI YA SEHEMU
IXTA12N50P
MTENGENEZAJI
IXYS
KIASI KILICHOPATIKANA
24
Nambari ya Sehemu
IXTA12N50P-DG
BEI YA KILA KITU
1.71
AINA YA KUBADILISHA
Similar
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
ATP114-TL-H
MOSFET P-CH 60V 55A ATPAK
BSS138
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
FDS4465-F085
MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC
