Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
FCA20N60F
Product Overview
Mtengenezaji:
onsemi
Nambari ya Kipande:
FCA20N60F-DG
Maelezo:
MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
Maelezo ya Kina:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-3PN
Hesabu:
442 Pcs Mpya Halisi Katika Hifadhi
12836333
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
FCA20N60F Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs
Mtengenezaji
onsemi
Ufungashaji
Tube
Mfululizo
SuperFET™
Hali ya Bidhaa
Not For New Designs
Aina ya FET
N-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
600 V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
20A (Tc)
Voltage ya Hifadhi (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Malipo ya lango (Qg) (Max) @ Vgs
98 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Uwezo wa kuingiza (Ciss) (Max) @ Vds
3080 pF @ 25 V
Kipengele cha FET
-
Usambazaji wa Nguvu (Max)
208W (Tc)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Through Hole
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
TO-3PN
Kifurushi / Kesi
TO-3P-3, SC-65-3
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
FCA20N60
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
30
Majina mengine
ONSONSFCA20N60F
2156-FCA20N60F-OS
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Hali ya RoHS
ROHS3 Compliant
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
Not Applicable
Hali ya REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mifano Mbadala
NAMBARI YA SEHEMU
FCA20N60-F109
MTENGENEZAJI
onsemi
KIASI KILICHOPATIKANA
0
Nambari ya Sehemu
FCA20N60-F109-DG
BEI YA KILA KITU
3.52
AINA YA KUBADILISHA
Parametric Equivalent
NAMBARI YA SEHEMU
FCA20N60
MTENGENEZAJI
onsemi
KIASI KILICHOPATIKANA
0
Nambari ya Sehemu
FCA20N60-DG
BEI YA KILA KITU
3.56
AINA YA KUBADILISHA
Parametric Equivalent
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
FDI2532
MOSFET N-CH 150V 8A/79A I2PAK
FCU4300N80Z
MOSFET N-CH 800V 1.6A IPAK
FQP6P25
MOSFET P-CH 250V 6A TO220-3
