Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
2SK4125-1E
Product Overview
Mtengenezaji:
onsemi
Nambari ya Kipande:
2SK4125-1E-DG
Maelezo:
MOSFET N-CH 600V 17A TO3P-3L
Maelezo ya Kina:
N-Channel 600 V 17A (Ta) 2.5W (Ta), 170W (Tc) Through Hole TO-3P-3L
Hesabu:
12833268
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
2SK4125-1E Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs
Mtengenezaji
onsemi
Ufungashaji
-
Mfululizo
-
Hali ya Bidhaa
Obsolete
Aina ya FET
N-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
600 V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
17A (Ta)
Voltage ya Hifadhi (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
610mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Malipo ya lango (Qg) (Max) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Uwezo wa kuingiza (Ciss) (Max) @ Vds
1200 pF @ 30 V
Kipengele cha FET
-
Usambazaji wa Nguvu (Max)
2.5W (Ta), 170W (Tc)
Joto la Uendeshaji
150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Through Hole
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
TO-3P-3L
Kifurushi / Kesi
TO-3P-3, SC-65-3
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
2SK4125
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
30
Majina mengine
ONSONS2SK4125-1E
2156-2SK4125-1E
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
1 (Unlimited)
Hali ya REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
2SK3820-DL-1E
MOSFET N-CH 100V 26A TO263-2
2N7002LT7H
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
2SK3820-DL-E
MOSFET N-CH 100V 26A SMP-FD
