Nyumbani
Bidhaa
Wazalishaji
Kuhusu DiGi
Wasiliana Nasi
Blogu na Machapisho
OMB/Quote
Kenya
Ingiza
Lugha Teule
Lugha ya kisasa unayichagua
Kenya
K switch:
Kiingereza
Ulaya
Uingereza
DR Congo
Ajentina
Uturuki
Romania
Lithuania
Norwei
Austria
Angola
Slovakia
ltaly
Finili
Belarusi
Bulgaria
Denmarki
Estonia
Polandi
Ukreni
Slovenia
Kicheki
Kigiriki
Kroatia
Uyahudi
Montenegro
Kirusi
Ubelgiji
Swideni
Serbia
Kibaski
Aisilandi
Bosnia
Kihangaria
Moldova
Ujerumani
Uholanzi
Irelandi
Asia / Pasifiki
China
Vietnam
Indonesia
Thailandi
Laos
Kifilipino
Malaysia
Korea
Japani
HongKong
Taiwani
Singapori
Pakistan
Saudi Arabia
Khatari
Kuwaiti
Cambodia
Myanmar
Afrika, India na Mashariki ya Kati
Umoja wa Falme za Kiarabu
Tajikistan
Madagascar
India
Irani
Ufaransa
Afrika Kusini
Misri
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Moroko
Tunisia
Amerika ya Kusini / Oceania
New Zealandi
Ureno
Brazili
Msumbiji
Peru
Kolombia
Chile
Venezuela
Ekuado
Bolivia
Uruguay
Uhispania
Paraguay
Australia
Amerika ya Kaskazini
Marekani
Haiti
Kanada
Kosta Rica
Meksiko
Kuhusu DiGi
Kuhusu Sisi
Kuhusu Sisi
Vyeti Vyetu
DiGi Utangulizi
Kwanini DiGi
Sera
Sera ya Ubora
Masharti ya matumizi
Uzingatiaji wa RoHS
Mchakato wa Kurudi
Rasilimali
Mikakati ya Bidhaa
Wazalishaji
Blogu na Machapisho
Huduma
Dhamana ya Ubora
Njia ya Malipo
Kusafirishwa Duniani
Viwango vya Usafirishaji
Maswali ya Mara kwa Mara
Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
PDTC114YU,115
Product Overview
Mtengenezaji:
NXP USA Inc.
Nambari ya Kipande:
PDTC114YU,115-DG
Maelezo:
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323
Maelezo ya Kina:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 230 MHz 200 mW Surface Mount SOT-323
Hesabu:
17125 Pcs Mpya Halisi Katika Hifadhi
12947540
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
*
Kampuni
*
Jina la Mawasiliano
*
Simu
*
Barua pepe
Anwani ya Uwasilishaji
Ujumbe
(
*
) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
PDTC114YU,115 Maalum ya Kiufundi
Kikundi
Bipolar (BJT), Mabipolar Transistors ya Pre-Biased ya Kimoja
Mtengenezaji
NXP Semiconductors
Ufungashaji
Bulk
Mfululizo
-
Hali ya Bidhaa
Active
Aina ya Transistor
NPN - Pre-Biased
Sasa - Mkusanyaji (Ic) (Max)
100 mA
Voltage - Uvunjaji wa Emitter ya Mkusanyaji (Max)
50 V
Resistor - Msingi (R1)
10 kOhms
Resistor - Msingi wa Emitter (R2)
47 kOhms
DC Gain ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 5mA, 5V
Ujazaji wa Vce (Max) @ ib, ic
100mV @ 250µA, 5mA
Sasa - Kukatwa kwa Mkusanyaji (Max)
1µA
Mzunguko - Mpito
230 MHz
Nguvu - Max
200 mW
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi / Kesi
SC-70, SOT-323
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
SOT-323
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
PDTC114
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Karatasi za data
PDTC114YT235 Datasheet
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
17,125
Majina mengine
NEXNXPPDTC114YU,115
2156-PDTC114YU,115
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
PDTC114YQA147
TRANS PREBIAS
PDTA115EMB,315
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.02A 3DFN
PDTC143XMB315
TRANS PREBIAS
PDTC115TMB315
TRANS PREBIAS