Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
IXTP1N120P
Product Overview
Mtengenezaji:
IXYS
Nambari ya Kipande:
IXTP1N120P-DG
Maelezo:
MOSFET N-CH 1200V 1A TO220AB
Maelezo ya Kina:
N-Channel 1200 V 1A (Tc) 63W (Tc) Through Hole TO-220-3
Hesabu:
12821937
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
IgjJ
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
IXTP1N120P Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs
Mtengenezaji
Littelfuse
Ufungashaji
Tube
Mfululizo
Polar
Hali ya Bidhaa
Active
Aina ya FET
N-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
1200 V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
1A (Tc)
Voltage ya Hifadhi (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
20Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Malipo ya lango (Qg) (Max) @ Vgs
17.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Uwezo wa kuingiza (Ciss) (Max) @ Vds
550 pF @ 25 V
Kipengele cha FET
-
Usambazaji wa Nguvu (Max)
63W (Tc)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Through Hole
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
TO-220-3
Kifurushi / Kesi
TO-220-3
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
IXTP1
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Karatasi za data
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
50
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Hali ya RoHS
ROHS3 Compliant
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
1 (Unlimited)
Hali ya REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
IXTA80N10T7
MOSFET N-CH 100V 80A TO263-7
IXFP22N60P3
MOSFET N-CH 600V 22A TO220AB
IXFK52N30Q
MOSFET N-CH 300V 52A TO264AA
