Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
IXFH7N100P
Product Overview
Mtengenezaji:
IXYS
Nambari ya Kipande:
IXFH7N100P-DG
Maelezo:
MOSFET N-CH 1000V 7A TO247
Maelezo ya Kina:
N-Channel 1000 V 7A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Hesabu:
12820695
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
tRpP
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
IXFH7N100P Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs
Mtengenezaji
Littelfuse
Ufungashaji
Tube
Mfululizo
HiPerFET™, Polar
Hali ya Bidhaa
Active
Aina ya FET
N-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
1000 V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
7A (Tc)
Voltage ya Hifadhi (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
1.9Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6V @ 1mA
Malipo ya lango (Qg) (Max) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Uwezo wa kuingiza (Ciss) (Max) @ Vds
2590 pF @ 25 V
Kipengele cha FET
-
Usambazaji wa Nguvu (Max)
300W (Tc)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Through Hole
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
TO-247 (IXTH)
Kifurushi / Kesi
TO-247-3
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
IXFH7
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
30
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Hali ya RoHS
ROHS3 Compliant
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
1 (Unlimited)
Hali ya REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mifano Mbadala
NAMBARI YA SEHEMU
STW7NK90Z
MTENGENEZAJI
STMicroelectronics
KIASI KILICHOPATIKANA
86
Nambari ya Sehemu
STW7NK90Z-DG
BEI YA KILA KITU
1.75
AINA YA KUBADILISHA
Similar
NAMBARI YA SEHEMU
STW7N105K5
MTENGENEZAJI
STMicroelectronics
KIASI KILICHOPATIKANA
554
Nambari ya Sehemu
STW7N105K5-DG
BEI YA KILA KITU
1.44
AINA YA KUBADILISHA
Similar
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
IXTH67N10
MOSFET N-CH 100V 67A TO247
IXTX90N25L2
MOSFET N-CH 250V 90A PLUS247-3
IXTP24N65X2
MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
