Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
IXFH26N100X
Product Overview
Mtengenezaji:
IXYS
Nambari ya Kipande:
IXFH26N100X-DG
Maelezo:
MOSFET N-CH 1000V 26A TO247
Maelezo ya Kina:
N-Channel 1000 V 26A (Tc) 860W (Tc) Through Hole TO-247
Hesabu:
12820393
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
VplS
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
IXFH26N100X Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs
Mtengenezaji
Littelfuse
Ufungashaji
Tube
Mfululizo
HiPerFET™, Ultra X
Hali ya Bidhaa
Active
Aina ya FET
N-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
1000 V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
26A (Tc)
Voltage ya Hifadhi (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
320mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6V @ 4mA
Malipo ya lango (Qg) (Max) @ Vgs
113 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Uwezo wa kuingiza (Ciss) (Max) @ Vds
3290 pF @ 25 V
Kipengele cha FET
-
Usambazaji wa Nguvu (Max)
860W (Tc)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Through Hole
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
TO-247
Kifurushi / Kesi
TO-247-3
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
IXFH26
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Mchoro wa HTML
Karatasi za data
Jarida la Takwimu
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
30
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Hali ya RoHS
ROHS3 Compliant
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
1 (Unlimited)
Hali ya REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mifano Mbadala
NAMBARI YA SEHEMU
STWA20N95K5
MTENGENEZAJI
STMicroelectronics
KIASI KILICHOPATIKANA
400
Nambari ya Sehemu
STWA20N95K5-DG
BEI YA KILA KITU
3.72
AINA YA KUBADILISHA
Similar
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
IXFL210N30P3
MOSFET N-CH 300V 108A ISOPLUS264
IXFK40N90P
MOSFET N-CH 900V 40A TO264AA
IXFT52N50P2
MOSFET N-CH 500V 52A TO268