Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
FDM21-05QC
Product Overview
Mtengenezaji:
IXYS
Nambari ya Kipande:
FDM21-05QC-DG
Maelezo:
MOSFET N-CH 500V 21A I4PAC
Maelezo ya Kina:
N-Channel 500 V 21A (Tc) Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
Hesabu:
12821055
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
w4k9
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
FDM21-05QC Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs
Mtengenezaji
Littelfuse
Ufungashaji
-
Mfululizo
-
Hali ya Bidhaa
Active
Aina ya FET
N-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
500 V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
21A (Tc)
Voltage ya Hifadhi (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
220mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Malipo ya lango (Qg) (Max) @ Vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Kipengele cha FET
-
Usambazaji wa Nguvu (Max)
-
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Through Hole
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
ISOPLUS i4-PAC™
Kifurushi / Kesi
i4-Pac™-5
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
FDM21
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
24
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Hali ya RoHS
ROHS3 Compliant
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
1 (Unlimited)
Hali ya REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
IXTY3N60P
MOSFET N-CH 600V 3A TO252
IXTH48P20P
MOSFET P-CH 200V 48A TO247
IXFN100N65X2
MOSFET N-CH 650V 78A SOT227B
