Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
ISC028N04NM5ATMA1
Product Overview
Mtengenezaji:
Infineon Technologies
Nambari ya Kipande:
ISC028N04NM5ATMA1-DG
Maelezo:
40V 2.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Maelezo ya Kina:
N-Channel 40 V 24A (Ta), 121A (Tc) 3W (Ta), 75W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
Hesabu:
8400 Pcs Mpya Halisi Katika Hifadhi
12993091
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
ISC028N04NM5ATMA1 Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs
Mtengenezaji
Infineon Technologies
Ufungashaji
Tape & Reel (TR)
Mfululizo
OptiMOS™-5
Hali ya Bidhaa
Active
Aina ya FET
N-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
40 V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
24A (Ta), 121A (Tc)
Voltage ya Hifadhi (Max Rds On, Min Rds On)
7V, 10V
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
2.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.4V @ 30µA
Malipo ya lango (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Uwezo wa kuingiza (Ciss) (Max) @ Vds
2700 pF @ 20 V
Kipengele cha FET
-
Usambazaji wa Nguvu (Max)
3W (Ta), 75W (Tc)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 175°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
PG-TDSON-8 FL
Kifurushi / Kesi
8-PowerTDFN
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
ISC028N
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Mchoro wa HTML
Karatasi za data
Jarida la Takwimu
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
5,000
Majina mengine
448-ISC028N04NM5ATMA1TR
448-ISC028N04NM5ATMA1DKR
448-ISC028N04NM5ATMA1CT
SP005399107
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Hali ya RoHS
ROHS3 Compliant
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
1 (Unlimited)
Hali ya REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
ISC0805NLSATMA1
MOSFET N-CH 100V 13A/71A TDSON
GCMS040B120S1-E1
SIC 1200V 40M MOSFET & 15A SBD S
SIHP15N80AEF-GE3
EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
