Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
IRLR3636TRPBF
Product Overview
Mtengenezaji:
Infineon Technologies
Nambari ya Kipande:
IRLR3636TRPBF-DG
Maelezo:
MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Maelezo ya Kina:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 143W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
Hesabu:
30775 Pcs Mpya Halisi Katika Hifadhi
12806393
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
TI5I
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
IRLR3636TRPBF Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs
Mtengenezaji
Infineon Technologies
Ufungashaji
Tape & Reel (TR)
Mfululizo
HEXFET®
Hali ya Bidhaa
Active
Aina ya FET
N-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
60 V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
50A (Tc)
Voltage ya Hifadhi (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
6.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 100µA
Malipo ya lango (Qg) (Max) @ Vgs
49 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±16V
Uwezo wa kuingiza (Ciss) (Max) @ Vds
3779 pF @ 50 V
Kipengele cha FET
-
Usambazaji wa Nguvu (Max)
143W (Tc)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 175°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
TO-252AA (DPAK)
Kifurushi / Kesi
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
IRLR3636
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Karatasi za data
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
2,000
Majina mengine
IRLR3636TRPBFDKR
IRLR3636TRPBFCT
IRLR3636TRPBFTR
SP001574002
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Hali ya RoHS
ROHS3 Compliant
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
1 (Unlimited)
Hali ya REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
IRFSL4610PBF
MOSFET N-CH 100V 73A TO262
IRF8113TR
MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO
IRFIZ48VPBF
MOSFET N-CH 60V 39A TO220AB FP
