Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
IRFL4105
Product Overview
Mtengenezaji:
Infineon Technologies
Nambari ya Kipande:
IRFL4105-DG
Maelezo:
MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
Maelezo ya Kina:
N-Channel 55 V 3.7A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223
Hesabu:
12803714
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
D5c0
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
IRFL4105 Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs
Mtengenezaji
Infineon Technologies
Ufungashaji
-
Mfululizo
HEXFET®
Hali ya Bidhaa
Obsolete
Aina ya FET
N-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
55 V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
3.7A (Ta)
Voltage ya Hifadhi (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
45mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Malipo ya lango (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Uwezo wa kuingiza (Ciss) (Max) @ Vds
660 pF @ 25 V
Kipengele cha FET
-
Usambazaji wa Nguvu (Max)
1W (Ta)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
SOT-223
Kifurushi / Kesi
TO-261-4, TO-261AA
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
80
Majina mengine
*IRFL4105
SP001554898
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Hali ya RoHS
RoHS non-compliant
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
1 (Unlimited)
Hali ya REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
IPN80R900P7ATMA1
MOSFET N-CHANNEL 800V 6A SOT223
IRFR540ZPBF
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
IPP60R380P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-3
