Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
IRFH7187TRPBF
Product Overview
Mtengenezaji:
Infineon Technologies
Nambari ya Kipande:
IRFH7187TRPBF-DG
Maelezo:
MOSFET N-CH 100V 18A/105A 8PQFN
Maelezo ya Kina:
N-Channel 100 V 18A (Ta), 105A (Tc) 3.8W (Ta), 132W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Hesabu:
12804676
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
Et1F
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
IRFH7187TRPBF Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs
Mtengenezaji
Infineon Technologies
Ufungashaji
-
Mfululizo
FASTIRFET™, HEXFET®
Hali ya Bidhaa
Obsolete
Aina ya FET
N-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
100 V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
18A (Ta), 105A (Tc)
Voltage ya Hifadhi (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
6mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.6V @ 150µA
Malipo ya lango (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Uwezo wa kuingiza (Ciss) (Max) @ Vds
2116 pF @ 50 V
Kipengele cha FET
-
Usambazaji wa Nguvu (Max)
3.8W (Ta), 132W (Tc)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
8-PQFN (5x6)
Kifurushi / Kesi
8-PowerVDFN
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Karatasi za data
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
4,000
Majina mengine
SP001566852
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
1 (Unlimited)
Hali ya REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mifano Mbadala
NAMBARI YA SEHEMU
STL100N10F7
MTENGENEZAJI
STMicroelectronics
KIASI KILICHOPATIKANA
88704
Nambari ya Sehemu
STL100N10F7-DG
BEI YA KILA KITU
0.98
AINA YA KUBADILISHA
MFR Recommended
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
IPB60R199CPATMA1
MOSFET N-CH 600V 16A TO263-3
IRF1407STRLPBF
MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
IRFS4310ZPBF
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
