Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
IRFB3307ZPBF
Product Overview
Mtengenezaji:
Infineon Technologies
Nambari ya Kipande:
IRFB3307ZPBF-DG
Maelezo:
MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Maelezo ya Kina:
N-Channel 75 V 120A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-220AB
Hesabu:
1731 Pcs Mpya Halisi Katika Hifadhi
12805763
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
DWeQ
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
IRFB3307ZPBF Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs
Mtengenezaji
Infineon Technologies
Ufungashaji
Tube
Mfululizo
HEXFET®
Hali ya Bidhaa
Active
Aina ya FET
N-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
75 V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
120A (Tc)
Voltage ya Hifadhi (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
5.8mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Malipo ya lango (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Uwezo wa kuingiza (Ciss) (Max) @ Vds
4750 pF @ 50 V
Kipengele cha FET
-
Usambazaji wa Nguvu (Max)
230W (Tc)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 175°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Through Hole
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
TO-220AB
Kifurushi / Kesi
TO-220-3
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
IRFB3307
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
50
Majina mengine
2156-IRFB3307ZPBFINF
INFINFIRFB3307ZPBF
SP001564038
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Hali ya RoHS
ROHS3 Compliant
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
1 (Unlimited)
Hali ya REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
SPP02N60C3XKSA1
LOW POWER_LEGACY
IRLS3034-7PPBF
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
IRFR3707TRPBF
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
