Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
IRF3707ZCSTRR
Product Overview
Mtengenezaji:
Infineon Technologies
Nambari ya Kipande:
IRF3707ZCSTRR-DG
Maelezo:
MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK
Maelezo ya Kina:
N-Channel 30 V 59A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount D2PAK
Hesabu:
12815109
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
IRF3707ZCSTRR Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs
Mtengenezaji
Infineon Technologies
Ufungashaji
Tape & Reel (TR)
Mfululizo
HEXFET®
Hali ya Bidhaa
Obsolete
Aina ya FET
N-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
30 V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
59A (Tc)
Voltage ya Hifadhi (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.25V @ 250µA
Malipo ya lango (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Uwezo wa kuingiza (Ciss) (Max) @ Vds
1210 pF @ 15 V
Kipengele cha FET
-
Usambazaji wa Nguvu (Max)
57W (Tc)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 175°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
D2PAK
Kifurushi / Kesi
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Karatasi za data
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
800
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Hali ya RoHS
RoHS non-compliant
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
1 (Unlimited)
Hali ya REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mifano Mbadala
NAMBARI YA SEHEMU
PSMN4R3-30BL,118
MTENGENEZAJI
Nexperia USA Inc.
KIASI KILICHOPATIKANA
9945
Nambari ya Sehemu
PSMN4R3-30BL,118-DG
BEI YA KILA KITU
0.58
AINA YA KUBADILISHA
MFR Recommended
NAMBARI YA SEHEMU
PSMN017-30BL,118
MTENGENEZAJI
Nexperia USA Inc.
KIASI KILICHOPATIKANA
1868
Nambari ya Sehemu
PSMN017-30BL,118-DG
BEI YA KILA KITU
0.37
AINA YA KUBADILISHA
MFR Recommended
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
EPC2016
GANFET N-CH 100V 11A DIE
SIPC03N60C3X1SA1
TRANSISTOR N-CH
DN3765K4-G
MOSFET N-CH 650V 300MA TO252-3
