Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
IRF300P226
Product Overview
Mtengenezaji:
Infineon Technologies
Nambari ya Kipande:
IRF300P226-DG
Maelezo:
MOSFET N-CH 300V 100A TO247AC
Maelezo ya Kina:
N-Channel 300 V 100A (Tc) 556W (Tc) Through Hole TO-247AC
Hesabu:
958 Pcs Mpya Halisi Katika Hifadhi
12804049
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
EE1R
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
IRF300P226 Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs
Mtengenezaji
Infineon Technologies
Ufungashaji
Tube
Mfululizo
StrongIRFET™
Hali ya Bidhaa
Active
Aina ya FET
N-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
300 V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
100A (Tc)
Voltage ya Hifadhi (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
19mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 270µA
Malipo ya lango (Qg) (Max) @ Vgs
191 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Uwezo wa kuingiza (Ciss) (Max) @ Vds
10030 pF @ 50 V
Kipengele cha FET
-
Usambazaji wa Nguvu (Max)
556W (Tc)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 175°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Through Hole
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
TO-247AC
Kifurushi / Kesi
TO-247-3
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
IRF300
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
25
Majina mengine
SP001582442
448-IRF300P226
IRF300P226-DG
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Hali ya RoHS
ROHS3 Compliant
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
1 (Unlimited)
Hali ya REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
IPN95R1K2P7ATMA1
MOSFET N-CH 950V 6A SOT223
IPA80R1K4P7XKSA1
MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3F
IRFR3710ZTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK