Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
IPW80R360P7XKSA1
Product Overview
Mtengenezaji:
Infineon Technologies
Nambari ya Kipande:
IPW80R360P7XKSA1-DG
Maelezo:
MOSFET N-CH 800V 13A TO247-3
Maelezo ya Kina:
N-Channel 800 V 13A (Tc) 84W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Hesabu:
47 Pcs Mpya Halisi Katika Hifadhi
12822727
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
HVu2
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
IPW80R360P7XKSA1 Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs
Mtengenezaji
Infineon Technologies
Ufungashaji
Tube
Mfululizo
CoolMOS™ P7
Hali ya Bidhaa
Active
Aina ya FET
N-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
800 V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
13A (Tc)
Voltage ya Hifadhi (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
360mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 280µA
Malipo ya lango (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Uwezo wa kuingiza (Ciss) (Max) @ Vds
930 pF @ 500 V
Kipengele cha FET
-
Usambazaji wa Nguvu (Max)
84W (Tc)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Through Hole
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
PG-TO247-3-41
Kifurushi / Kesi
TO-247-3
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
IPW80R360
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
30
Majina mengine
SP001633520
2156-IPW80R360P7XKSA1-448
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Hali ya RoHS
ROHS3 Compliant
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
1 (Unlimited)
Hali ya REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
IPI90R1K0C3XKSA1
MOSFET N-CH 900V 5.7A TO262-3
TN0110N3-G-P002
MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3
IRL2505STRLPBF
MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
