Nyumbani
Bidhaa
Wazalishaji
Kuhusu DiGi
Wasiliana Nasi
Blogu na Machapisho
OMB/Quote
Kenya
Ingiza
Lugha Teule
Lugha ya kisasa unayichagua
Kenya
K switch:
Kiingereza
Ulaya
Uingereza
Ufaransa
Uhispania
Uturuki
Moldova
Lithuania
Norwei
Ujerumani
Ureno
Slovakia
ltaly
Finili
Kirusi
Bulgaria
Denmarki
Estonia
Polandi
Ukreni
Slovenia
Kicheki
Kigiriki
Kroatia
Uyahudi
Serbia
Belarusi
Uholanzi
Swideni
Montenegro
Kibaski
Aisilandi
Bosnia
Kihangaria
Romania
Austria
Ubelgiji
Irelandi
Asia / Pasifiki
China
Vietnam
Indonesia
Thailandi
Laos
Kifilipino
Malaysia
Korea
Japani
HongKong
Taiwani
Singapori
Pakistan
Saudi Arabia
Khatari
Kuwaiti
Cambodia
Myanmar
Afrika, India na Mashariki ya Kati
Umoja wa Falme za Kiarabu
Tajikistan
Madagascar
India
Irani
DR Congo
Afrika Kusini
Misri
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Moroko
Tunisia
Amerika ya Kusini / Oceania
New Zealandi
Angola
Brazili
Msumbiji
Peru
Kolombia
Chile
Venezuela
Ekuado
Bolivia
Uruguay
Ajentina
Paraguay
Australia
Amerika ya Kaskazini
Marekani
Haiti
Kanada
Kosta Rica
Meksiko
Kuhusu DiGi
Kuhusu Sisi
Kuhusu Sisi
Vyeti Vyetu
DiGi Utangulizi
Kwanini DiGi
Sera
Sera ya Ubora
Masharti ya matumizi
Uzingatiaji wa RoHS
Mchakato wa Kurudi
Rasilimali
Mikakati ya Bidhaa
Wazalishaji
Blogu na Machapisho
Huduma
Dhamana ya Ubora
Njia ya Malipo
Kusafirishwa Duniani
Viwango vya Usafirishaji
Maswali ya Mara kwa Mara
Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
IPW80R290C3AXKSA1
Product Overview
Mtengenezaji:
Infineon Technologies
Nambari ya Kipande:
IPW80R290C3AXKSA1-DG
Maelezo:
MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3
Maelezo ya Kina:
N-Channel 800 V 17A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Hesabu:
216 Pcs Mpya Halisi Katika Hifadhi
12804443
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
*
Kampuni
*
Jina la Mawasiliano
*
Simu
*
Barua pepe
Anwani ya Uwasilishaji
Ujumbe
j
e
x
R
(
*
) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
IPW80R290C3AXKSA1 Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs
Mtengenezaji
Infineon Technologies
Ufungashaji
Tube
Mfululizo
CoolMOS™
Hali ya Bidhaa
Active
Aina ya FET
N-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
800 V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
17A (Tc)
Voltage ya Hifadhi (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
290mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 1mA
Malipo ya lango (Qg) (Max) @ Vgs
117 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Uwezo wa kuingiza (Ciss) (Max) @ Vds
2300 pF @ 100 V
Kipengele cha FET
-
Usambazaji wa Nguvu (Max)
227W (Tc)
Joto la Uendeshaji
-40°C ~ 150°C (TJ)
Daraja
Automotive
Uhitimu
AEC-Q101
Aina ya Kuweka
Through Hole
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
PG-TO247-3
Kifurushi / Kesi
TO-247-3
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
IPW80R290
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Mchoro wa HTML
IPW80R290C3AXKSA1-DG
Karatasi za data
IPW80R290C3A
Jarida la Takwimu
IPW80R290C3AXKSA1
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
30
Majina mengine
IPW80R290C3AXKSA1-DG
448-IPW80R290C3AXKSA1
SP002890378
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Hali ya RoHS
ROHS3 Compliant
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
1 (Unlimited)
Hali ya REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
IPU80R3K3P7AKMA1
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3
IPI80N06S2L05AKSA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
IPP60R210CFD7XKSA1
MOSFET N CH
IRF8304MTRPBF
MOSFET N-CH 30V 28A DIRECTFET