Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
IPW80R290C3AXKSA1
Product Overview
Mtengenezaji:
Infineon Technologies
Nambari ya Kipande:
IPW80R290C3AXKSA1-DG
Maelezo:
MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3
Maelezo ya Kina:
N-Channel 800 V 17A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Hesabu:
216 Pcs Mpya Halisi Katika Hifadhi
12804443
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
jexR
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
IPW80R290C3AXKSA1 Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs
Mtengenezaji
Infineon Technologies
Ufungashaji
Tube
Mfululizo
CoolMOS™
Hali ya Bidhaa
Active
Aina ya FET
N-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
800 V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
17A (Tc)
Voltage ya Hifadhi (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
290mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 1mA
Malipo ya lango (Qg) (Max) @ Vgs
117 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Uwezo wa kuingiza (Ciss) (Max) @ Vds
2300 pF @ 100 V
Kipengele cha FET
-
Usambazaji wa Nguvu (Max)
227W (Tc)
Joto la Uendeshaji
-40°C ~ 150°C (TJ)
Daraja
Automotive
Uhitimu
AEC-Q101
Aina ya Kuweka
Through Hole
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
PG-TO247-3
Kifurushi / Kesi
TO-247-3
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
IPW80R290
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Mchoro wa HTML
Karatasi za data
Jarida la Takwimu
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
30
Majina mengine
IPW80R290C3AXKSA1-DG
448-IPW80R290C3AXKSA1
SP002890378
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Hali ya RoHS
ROHS3 Compliant
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
1 (Unlimited)
Hali ya REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
IPU80R3K3P7AKMA1
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3
IPI80N06S2L05AKSA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
IPP60R210CFD7XKSA1
MOSFET N CH
