Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
IPP80R280P7XKSA1
Product Overview
Mtengenezaji:
Infineon Technologies
Nambari ya Kipande:
IPP80R280P7XKSA1-DG
Maelezo:
MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3
Maelezo ya Kina:
N-Channel 800 V 17A (Tc) 101W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Hesabu:
483 Pcs Mpya Halisi Katika Hifadhi
12809136
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
bcMh
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
IPP80R280P7XKSA1 Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs
Mtengenezaji
Infineon Technologies
Ufungashaji
Tube
Mfululizo
CoolMOS™
Hali ya Bidhaa
Active
Aina ya FET
N-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
800 V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
17A (Tc)
Voltage ya Hifadhi (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
280mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 360µA
Malipo ya lango (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Uwezo wa kuingiza (Ciss) (Max) @ Vds
1200 pF @ 500 V
Kipengele cha FET
-
Usambazaji wa Nguvu (Max)
101W (Tc)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Through Hole
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
PG-TO220-3
Kifurushi / Kesi
TO-220-3
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
IPP80R280
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
50
Majina mengine
SP001422724
2156-IPP80R280P7XKSA1
IFEINFIPP80R280P7XKSA1
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Hali ya RoHS
ROHS3 Compliant
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
Not Applicable
Hali ya REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
IRF7452TRPBF
MOSFET N-CH 100V 4.5A 8SO
IRFR2607ZPBF
MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
IRF1902PBF
MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SO
